半导体芯片三槽式冷热冲击试验箱用于测验资料结构或复合资料，在瞬间经*温以及极低温的接连环境下所能忍耐的程度，最短时刻之内检测验样因热胀冷缩所引起的化学变化或物理损伤；高低温循环可达1000次，不结霜，温度恢复时刻小于5分钟，转化时刻小于10秒，三箱式结构，样品不需移动，易于测验线缆衔接，可自在切换两温文三温形式，流体力学仿真精细核算，变频技能与产品工艺制作技能大大下降能耗。

  用于测验资料结构或复合资料，在瞬间经*温以及极低温的接连环境下所能忍耐的程度，最短时刻之内检测验样因热胀冷缩所引起的化学变化或物理损伤；高低温循环可达1000次，不结霜，温度恢复时刻小于5分钟，转化时刻小于10秒，三箱式结构，样品不需移动，易于测验线缆衔接，可自在切换两温文三温形式，流体力学仿真精细核算，变频技能与产品工艺制作技能大大下降能耗。

  降温+20C -60C =60min注:升温时刻为高温室独自工作时的功能